График зависимости энергии W конденсатора от его заряда q представлен на рисунке. Ёмкость конденсатора C равна:
График зависимости энергии W конденсатора от его заряда q представлен на рисунке. Ёмкость конденсатора C равна:
График зависимости энергии W конденсатора от его заряда q представлен на рисунке. Ёмкость конденсатора C равна:
График зависимости энергии W конденсатора от напряжения на нем U представлен на рисунке. Ёмкость конденсатора C равна:
График зависимости энергии W конденсатора от его заряда q представлен на рисунке. Ёмкость конденсатора C равна:
График зависимости энергии W конденсатора от его заряда q представлен на рисунке. Ёмкость конденсатора C равна:
Электроёмкость плоского воздушного конденсатора С1 = 0,1 нФ. Если пространство между обкладками конденсатора полностью заполнить керосином, диэлектрическая проницаемость которого ε = 2, то электроёмкость С2 конденсатора будет равна:
Электроёмкость плоского воздушного конденсатора С1 = 0,2 нФ. Если пространство между обкладками конденсатора полностью заполнить пластиком, диэлектрическая проницаемость которого ε = 4, то электроёмкость С2 конденсатора будет равна:
Электроёмкость плоского воздушного конденсатора С1 = 0,6 нФ. Если пространство между обкладками конденсатора полностью заполнить бумагой, диэлектрическая проницаемость которого ε = 3, то электроёмкость С2 конденсатора будет равна:
Электрическая емкость плоского воздушного конденсатора С = 12 пФ. Если площадь каждой обкладки уменьшить в α = 1,5 раза, то электрическая емкость конденсатора:
Электрическая емкость плоского воздушного конденсатора С = 20 пФ. Если расстояние между обкладками конденсатора увеличить в α = 2,5 раза, то электрическая емкость конденсатора:
Электрическая емкость плоского воздушного конденсатора С = 10 пФ. Если пространство между обкладками конденсатора полностью заполнить эбонитом с диэлектрической проницаемостью ε = 4,0, то электрическая емкость конденсатора:
=
Точечные заряды q1 и q2 находятся в плоскости рисунка. Направление напряжённости электростатического поля, создаваемого этими зарядами в точке А, указано на рисунке. Для зарядов q1 и q2 справедливы соотношения под номером:
Плоский воздушный конденсатор зарядили и отключили от источника питания. Чтобы энергию электростатического поля конденсатора уменьшить в 3 раза, расстояние между обкладками необходимо:
На рисунке изображены два плоских воздушных (ε = 1) конденсатора C1 и C2 обкладки которых имеют форму дисков. (Для наглядности расстояние между обкладками показано преувеличенным.) Если ёмкость первого конденсатора С1 = 0,43 нФ, то ёмкость второго конденсатора C2 равна:
На рисунке изображены два плоских воздушных (ε = 1) конденсатора C1 и C2 обкладки которых имеют форму дисков. (Для наглядности расстояние между обкладками показано преувеличенным.) Если ёмкость первого конденсатора С1 = 0,28 нФ, то ёмкость второго конденсатора C2 равна:
На рисунке изображены два плоских воздушных (ε = 1) конденсатора C1 и C2 обкладки которых имеют форму дисков. (Для наглядности расстояние между обкладками показано преувеличенным.) Если ёмкость первого конденсатора С1 = 0,36 нФ, то ёмкость второго конденсатора C2 равна:
На рисунке изображены два плоских воздушных (ε = 1) конденсатора C1 и C2 обкладки которых имеют форму дисков. (Для наглядности расстояние между обкладками показано преувеличенным.) Если ёмкость первого конденсатора С1 = 0,27 нФ, то ёмкость второго конденсатора C2 равна:
На рисунке изображены два плоских воздушных (ε = 1) конденсатора C1 и C2 обкладки которых имеют форму дисков. (Для наглядности расстояние между обкладками показано преувеличенным.) Если ёмкость первого конденсатора С1 = 0,31 нФ, то ёмкость второго конденсатора C2 равна:
Плоский воздушный конденсатор подключён к источнику постоянного напряжения. График зависимости заряда q конденсатора от расстояния d между обкладками конденсатора представлен на рисунке, обозначенном цифрой:
На рисунке изображён график зависимости силы тока I в катушке индуктивности от времени t. Если индуктивность катушки L = 80 мГн, то в ней возбуждается ЭДС самоиндукции
равная:
На рисунке изображён график зависимости силы тока I в катушке индуктивности от времени t. Если индуктивность катушки L = 0,1 Гн, то в ней возбуждается ЭДС самоиндукции ε, равная:
На рисунке изображён график зависимости силы тока I в катушке индуктивности от времени t. Если индуктивность катушки L = 50 мГн, то энергия W магнитного поля катушки в момент времени t = 20 мс была равна:
На рисунке изображён график зависимости силы тока I в катушке индуктивности от времени t. Если индуктивность катушки L = 80 мГн, то энергия W магнитного поля катушки в момент времени t = 10 мс была равна:
На рисунке изображён график зависимости силы тока I в катушке индуктивности от времени t. Если индуктивность катушки L = 0,2 Гн, то в ней возбуждается ЭДС самоиндукции ε, равная:
На рисунке изображён график зависимости силы тока I в катушке индуктивности от времени t. Если индуктивность катушки L = 0,10 Гн, то в ней возбуждается ЭДС самоиндукции ε, равная:
На рисунке изображён график зависимости силы тока I в катушке индуктивности от времени t. Если индуктивность катушки L = 80 мГн, то в ней возбуждается ЭДС самоиндукции ε, равная:
На рисунке изображён график зависимости силы тока I в катушке индуктивности от времени t. Если индуктивность катушки L = 93 мГн, то энергия W магнитного поля катушки в момент времени t = 15 мс была равна:
На рисунке изображён график зависимости силы тока I в катушке индуктивности от времени t. Если индуктивность катушки L = 84 мГн, то энергия W магнитного поля катушки в момент времени t = 20 мс была равна:
На рисунке изображён график зависимости силы тока I в катушке индуктивности от времени t. Если индуктивность катушки L = 95 мГн, то энергия W магнитного поля катушки в момент времени t = 60 мс была равна:
График зависимости напряжения U на конденсаторе от его заряда q изображён на рисунке. Если заряд конденсатора
Кл,
График зависимости напряжения U на конденсаторе от его заряда q изображён на рисунке. Чему равна энергия электростатического поля W конденсатора, при напряжении U = 100 В. Ответ приведите в микроджоулях.
График зависимости энергии электростатического поля W конденсатора от его заряда q представлен на рисунке. Точке А на графике соответствует напряжение U на конденсаторе, равное ... В.
График зависимости энергии электростатического поля W конденсатора от напряжения U между его обкладками представлен на рисунке. Точке А на графике соответствует заряд конденсатора q, равный ... мКл.
Пространство между обкладками плоского конденсатора заполнено диэлектриком с диэлектрической проницаемостью ε = 3,39. Если ёмкость конденсатора C = 16 пФ, а площадь каждой обкладки конденсатора S = 16 см2, то расстояние d между его обкладками
Пространство между обкладками плоского конденсатора заполнено диэлектриком с диэлектрической проницаемостью ε = 4,52. Если расстояние между обкалками конденсатора d = 5,0 мм а площадь каждой обкладки S = 20 см2, то ёмкость C конденсатора равна ... пФ.